סמסונג מכריזה על שבבי DDR4 בטכנולוגיית 10nm מהדור השלישי

ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה על גמר פיתוח שבב זיכרון DDR4 בנפח 8Gb , שיהיה שבב ה-DRAM הראשון בתעשייה בייצור מהדור השלישי בתהליך 1z-nm (ברמת 10nm) מתקדם שישפר את ביצועי הזיכרון והצריכה החשמלית שלו.
שבב ה-DDR4 בייצור 1z-nm מגיע רק 16 חודשים אחרי הכרזת שבבי ה- DRAM בייצור 1y-nm  מהדור השני בסוף 2017, כאשר סמסונג מצליחה לשדרג את יכולות שבבי הזיכרון מבלי להשתמש בטכנולוגיית ה-EUV (ר”ת Extreme Ultra-Violet) ולדחוק ביכולות שבבי ה-DRAM הנוכחיים.
לפי סמסונג, המעבר לייצור 1z-nm צפוי לשפר את יכולות הייצור שלה ביותר מ-20% לעומת ייצור שבבי ה-1y-nm מהדור הקודם, כשהחברה צופה תחילת ייצור המוני של שבבי 1z-nm 8Gb DDR4 בחציון השני של 2019.
שבב זיכרון DDR4 בייצור 1z-nm (מקור סמסונג)
תחילת ייצור שבבי ה-DDR4 בייצור ה-1z-nm צפויה להאיץ את המעבר לייצור זה גם בשבבי DRAM אחרים דוגמת DDR5, LPDDR5 ו- GDDR6 ויאפשר להם להציג ביצועים משופרים וצריכה נמוכה יותר לעומת השבבים מהדור הנוכחי.
למרות שסמסונג צופה ייצור של שבבי ה-DDR4 החדשים בחציון השני של 2019 חושפת החברה כי אלו ישולבו במערכות מחשב שונות רק עם תחילת 2020, כך שיש מספיק זמן המתנה שיאפשר לקבל תמונת מצב טובה יותר על השבבים החדשים וביצועי הזיכרון שלהם בהשוואה לדור הקודם.

המשך לכתבה המלאה

החדשות החמות ביותר היום