סמסונג מכריזה על Flashbolt – שבב HBM2E מהיר במיוחד בנפח 16GB

סמסונג הכריזה על הדור הבא של שבבי הזיכרון HBM2E תחת השם  Flashbolt  במהלך כנס מפתחי המשחקים GTC 2019 של חברת nVidia, אשר מיועד לדור הבא של מחשבי העל, מערכות גרפיות ובינה מלאכותית, עם מהירות העברת מידע של עד 410GBps.
שבב ה-Flashbolt החדש של סמסונג מחליף את ה- Aquabolt שהוצג בתחילת 2018  כשהוא יהיה השבב הראשון בתעשיה שמציג מהירות זיכרון של 3.2Gbps לפין, שיפור של 33% לעומת הדור הקודם ונפח של 16Gb לליבת זיכרון, פי 2 מהדור הקודם, מה שיאפשר ייצור שבבי 16GB בעלי מהירות העברת מידע גבוהה במיוחד של 410GBps .
שבב ה-HBM2E החדש הוא שיפור של ה-HBM2 (ר”ת High Bandwidth Memory-2) ומהווה למעשה “דור 2.5”, כשאנו עדיין צפויים לראות בעתיד גם את שבב ה-HBM3. ההבדל הגדול בין שבבי ה-HBM ל-GDDR על סוגיו השונים הוא בעיקר במהירות העברת המידע העצומה, כשב-Flashbolt מדובר על 410GBps, פי 5.7 לעומת מהירות של 72GBps אותה מציע  שבב GDDR6 .
זיכרון HBM2 סמסונג
כמו במקרים רבים אחרים, המגזר התעשייתי צפוי לקבל ולשלב את טכנולוגיית ה-HBM2E בתחילת הדרך, כאשר לאחר מכן ניתן לצפות כי נזכה לראות את הטכנולוגיה מגיעה גם לשוק הביתי, כפי שקרה לזכרונות ה-HBM2 אותם ניתן למצוא בכרטיסי ה- Radeon VII של AMD .

המשך לכתבה המלאה

החדשות החמות ביותר היום